特許
J-GLOBAL ID：200903086998154968
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷 照一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152233
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 拡散層の深さ方向寸法及び拡散マスク下側の横方向への広がり寸法に比べて拡散層端部の曲面状接合部分の曲率半径を大きくして、接合部の絶縁耐圧を高める。【構成】 シリコン半導体基板10の表面に耐酸化性の窒化シリコン膜12を形成し、窒化シリコン膜12の一部に開口部を形成する。シリコン基板10を熱酸化して開口部13に選択的に熱酸化膜14を形成する。選択酸化膜14及び窒化シリコン膜12を除去してシリコン基板10の表面に端部が内側に向けてテーパ状に構成された凹部15を設ける。凹部15の形成されたシリコン基板10の表面に熱酸化膜16を形成し、この熱酸化膜の凹部15上の部分を除去して第2開口部17を形成する。第2開口部に不純物を導入し、さらに不純物を熱拡散法により拡散させて拡散層18を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に耐酸化性の第1被膜を形成する第1被膜形成工程と、前記第1被膜の一部を除去して前記半導体基板に第1開口部を設ける第1開口部形成工程と、前記第1開口部の形成された半導体基板を熱酸化法により選択的に酸化する選択酸化工程と、前記第1被膜及び前記熱酸化法により形成された選択酸化膜を除去して前記半導体基板表面にその端部が内側に向けてテーパ状に構成された凹部を設ける凹部形成工程と、前記凹部の形成された半導体基板の表面に第2被膜を形成する第2被膜形成工程と、前記凹部上の前記第2被膜を除去して前記半導体基板に第2開口部を設ける第2開口部形成工程と、前記第2被膜をマスクとして前記第2開口部に不純物を導入する不純物導入工程と、前記第2開口部に導入された不純物を前記半導体基板内に熱拡散法により拡散させて拡散層を形成する拡散層形成工程とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22
, H01L 21/331
, H01L 29/73
