特許
J-GLOBAL ID：200903087000122290
R-T-M-N系異方性ボンド磁石の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193758
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037122
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 R-T-N系ボンド磁石の製造方法において、高保磁力が得られる超微細結晶組織を有し、かつ磁気的な異方性を有する高耐食性のR-T-M-N系異方性ボンド磁石の製造方法の提供。【構成】 水素化処理時の母相の分解を抑制する効果を持つ元素M(M:Al,Ti,V,Cr,Ni,Ga,Zr,Nb,Mo,In,Sn,Hf,Ta,Wのうち一種又は2種以上)を特定量含有する特定組成のR-T系粉末(T:FeまたはFeの一部をCoで置換)を特定条件で水素化処理し、母相の一部を微細に分散した状態で残存させ、ついで脱H2処理し、脱H2処理時の母相の再結合を、残存した母相を核として起こさせ特定平均結晶粒径を有し、個々の粉末を形成する微細結晶の向きが一定の方向にそろったTh2Zn17型構造またはTbCu7型構造を有する合金粉末を得、これを特定条件でのN2ガス中窒化処理し、得られたR-T-M-N系異方性合金粉末を樹脂ボンド磁石化して、磁気特性のすぐれたR-T-M-N系異方性ボンド磁石を得る。
請求項（抜粋）：
R(R:Yを含む希土類元素の少なくとも1種でかつSmを50%以上含有)10〜12at%、T(T:FeあるいはFeの一部を50%以下のCoで置換)80〜90at%、M(M;Al,Ti,V,Cr,Ni,Ga,Zr,Nb,Mo,In,Sn,Hf,Ta,Wのうち1種または2種以上)10at%以下からなる鋳塊を溶体化処理後、平均粒度が20μm〜10mmの少なくとも80vol%以上がTh2Zn17型構造を有する化合物からなる粗粉砕粉となした後、前記粗粉砕粉を0.1〜10atmのH2ガスまたはそれに等しいH2分圧を有する不活性ガス(N2ガスを除く、但し全圧力は10atm以下)中で、750〜900°Cに30分〜8時間加熱保持し、さらにH2分圧1×10-2Torr以下にて750〜900°Cに30分〜8時間加熱保持する脱H2処理を行い、次いで冷却して平均結晶粒径が0.05〜3μmであり、かつ個々の粉末を形成する微細結晶の方位が一定の方向にそろった集合組織を有する粉体となし、次に前記粉体をN2圧力0.5〜1000atmのN2ガス中で300〜650°Cに30分〜50時間保持し、R 8〜10at%、T 65〜82at%、M 10at%以下、N 8〜15at%を含有し、Th2Zn17型構造またはTbCu7型構造を有する合金粉末を得た後、該合金粉末を3〜500μmに粉砕、整粒した後、樹脂を混合して磁界中で成形することを特徴とするR-T-M-N系異方性ボンド磁石の製造方法。
IPC (5件)：
H01F 41/02
, B22F 1/00
, H01F 1/04
, H01F 1/08
, H01F 7/02
H01F 1/04 Z
, H01F 1/08 A
