特許

J-GLOBAL ID：200903087003969120

半導体素子のエージング試験用治具

発明者： 池田 剛英 ,  池谷 晃
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-065676
公開番号（公開出願番号）：特開2002-267714
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月18日
要約：

【要約】【課題】 試験すべき半導体素子の数が増えても、また、一つの恒温槽内に仕様の異なる複数の半導体素子を収容しても、精度のよいエージング試験を能率よく安価に行うことができる。【解決手段】 素子エージング用ベース11に、複数のエージング試験用の半導体素子13を実装するための複数の半導体素子ソケット15と、半導体素子13に試験用電流を供給することにより半導体素子13から発生する熱を放熱する放熱体21とを備えた半導体素子のエージング試験用治具において、前記素子エージング用ベース11に、前記半導体素子13の温度を恒温槽内において設定された試験温度になるよう調整するための温調熱交換部材であるヒータ線28を設ける。

請求項（抜粋）：

素子エージング用ベースに、複数のエージング試験用の半導体素子を実装するための複数の半導体素子ソケットと、半導体素子に試験用電流を供給することにより半導体素子から発生する熱を放熱するための放熱体とを備えた半導体素子のエージング試験用治具において、前記素子エージング用ベースに、前記半導体素子の温度を恒温槽内において設定された試験温度になるよう調整するための温調熱交換部材を設けたことを特徴とする半導体素子のエージング試験用治具。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01L 35/32

FI (4件)：

G01R 31/26 H ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 H ,  H01L 35/32 A

Fターム (16件)：

2G003AA02 ,  2G003AA06 ,  2G003AC01 ,  2G003AD01 ,  2G003AD02 ,  2G003AD03 ,  2G003AG01 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05 ,  4M106AA04 ,  4M106CA60 ,  4M106DG25 ,  4M106DH44 ,  4M106DH45 ,  4M106DH46 ,  4M106DJ31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• バーンイン装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-293344   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-044271
  
• 特開平2-044271