特許

J-GLOBAL ID：200903087005001912

バンプの形成方法及びバンプを有する半導体装置の製造方法

発明者： 吉原 通之 ,  五味 和男 ,  伊東 恭二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059304
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252003
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 バンプ高さの誤差を減少させ、ボンディング不良を防止する。【解決手段】 厚膜レジスト6を用いてメッキによりバンプ7を形成し、バンプの表面を研磨して平坦化した後に、前記レジストを除去する。【効果】 前記平坦化によってバンプ高さの誤差が減少し、一括接続を行なう際に、ボンディングツールの加圧力が各バンプに均一に加わり、加熱が各バンプに均一に加わるので、ボンディング不良が生じにくくなる。

請求項（抜粋）：

バンプの形成方法であって、バンプ形成面にレジストを塗布する工程と、前記レジストにバンプ形成用の開口を行なう工程と、バンプを形成する工程と、前記バンプを研磨する工程と、前記レジストを除去する工程と、を備えたことを特徴とするバンプの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/92 604 A