半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116398
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326632
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】熱処理によりT型ゲート電極構造が変化して特性が劣化することを防止した電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の表面31Aにショットキー接合するゲート電極9の下部ゲート電極部9GLと半導体基板から離間して庇を形成するゲート電極9の上部ゲート電極部9GUとからいわゆるT型ゲート電極構造となっている半導体装置において、ゲート電極9は高融点金属を含む材料から構成され、上部ゲート電極部9GUの上面に上層の低抵抗金属層11Gを被着形成し、かつ上部ゲート電極11GUの下面に下層の低抵抗金属層6Gを被着形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を備えた電界効果トランジスタを有し、前記ゲート電極は前記半導体基板の表面にショットキー接合する下部ゲート電極部と前記半導体基板から離間して庇を形成する上部ゲート電極部とからいわゆるT型ゲート電極となっている半導体装置において、前記ゲート電極は高融点金属を含む材料から構成され、前記ゲート電極の上部ゲート電極部の上面に上層の低抵抗金属層を被着形成し、かつ該上部ゲート電極部の下面に下層の低抵抗金属層を被着形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 H

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