特許

J-GLOBAL ID：200903087013590382

電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法

発明者： 鹿目 修
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350844
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158003
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】 フォトリソグラフィーを使わずに、有機トランジスタを作成するときにゲート長を短く一定にする。【解決手段】 溝付き基板を用い、その中にゲート電極を形成後、基板を親水化し、その後ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜と基板との表面エネルギーの差でソース、ドレイン電極をゲート絶縁膜ぎりぎりに形成し、最後に半導体層を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に作成された電子デバイスにおいて、基板には連続する溝があり、該溝に埋め込まれた制御電極と同じ溝の電極上に形成された絶縁膜を有することを特徴とする電子デバイス。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (8件)：

H01L29/78 617K ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 L ,  H01L29/44 S ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/28 310J

Fターム (47件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF06 ,  4M104FF08 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-208212   出願人：パイオニア株式会社