特許
J-GLOBAL ID：200903087024966341
Zn固相拡散方法およびこれを用いた発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258066
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091254
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 拡散領域表面の荒れをなくし、平滑な表面に改善する。【解決手段】 n型半導体基板(n型GaAsP基板)10の上に開口部11aを有する拡散マスク膜(AlN膜)11を設け[(a)]、その上に拡散源膜12およびアニールキャップ膜13を成膜し[(c),(d)]、アニールにより拡散源膜12中のZnを拡散マスク膜11の開口部11aからn型半導体基板10に拡散させてp型拡散領域14を形成し[(e)]、アニールキャップ膜13および拡散源膜12を剥離する[(f)]固相拡散工程において、拡散源膜12をZnOとSiO2 の混晶膜とし、拡散源膜12中のZnとSiのモル比Zn/(Zn+Si)を0.2以下とする。
請求項（抜粋）：
GaAs系の半導体基板上にZnを含む拡散源膜を形成する工程と、前記拡散源膜から前記半導体基板にZnを拡散させ、拡散領域を形成する工程とを含み、前記拡散源膜が、ZnOとSiO2 の混晶膜であり、前記混晶膜中のZnとSiのモル比Zn/(Zn+Si)が、0.2以下であることを特徴とするZn固相拡散方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/22 C
, H01L 33/00 A
5F041AA43
, 5F041CA02
, 5F041CA12
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA38
, 5F041CA39
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA72
