特許
J-GLOBAL ID:200903087024966341

Zn固相拡散方法およびこれを用いた発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-258066
公開番号(公開出願番号):特開2000-091254
出願日: 1998年09月11日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】 拡散領域表面の荒れをなくし、平滑な表面に改善する。【解決手段】 n型半導体基板(n型GaAsP基板)10の上に開口部11aを有する拡散マスク膜(AlN膜)11を設け[(a)]、その上に拡散源膜12およびアニールキャップ膜13を成膜し[(c),(d)]、アニールにより拡散源膜12中のZnを拡散マスク膜11の開口部11aからn型半導体基板10に拡散させてp型拡散領域14を形成し[(e)]、アニールキャップ膜13および拡散源膜12を剥離する[(f)]固相拡散工程において、拡散源膜12をZnOとSiO2 の混晶膜とし、拡散源膜12中のZnとSiのモル比Zn/(Zn+Si)を0.2以下とする。
請求項(抜粋):
GaAs系の半導体基板上にZnを含む拡散源膜を形成する工程と、前記拡散源膜から前記半導体基板にZnを拡散させ、拡散領域を形成する工程とを含み、前記拡散源膜が、ZnOとSiO2 の混晶膜であり、前記混晶膜中のZnとSiのモル比Zn/(Zn+Si)が、0.2以下であることを特徴とするZn固相拡散方法。
IPC (2件):
H01L 21/22 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01L 21/22 C ,  H01L 33/00 A
Fターム (11件):
5F041AA43 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA39 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA72

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