特許

J-GLOBAL ID：200903087025458315

インジウム燐ガンダイオード

発明者： 出口 忠義
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318840
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134808
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 インジウム燐ガンダイオードの放熱性、歩留まり向上、平面回路への実装容易性等を実現する。【解決手段】 半導体積層部分13,14にボロンをイオン注入して高抵抗領域17を形成することにより、ガンダイオードとして機能する部分と、そのガンダイオード部分の第1のコンタクト層12への外部からの電圧印加路として働く低抵抗層部分とを分離区画して構成し、上記ガンダイオードとして機能する部分に電圧を印加する電極15,16を第2のコンタクト層14の上面に設ける。

請求項（抜粋）：

インジウム燐からなる半導体基板上に、高濃度n型インジウム燐からなる第1の半導体層、低濃度n型インジウム燐からなる活性層及び高濃度n型インジウム燐からなる第2の半導体層が順に積層されたインジウム燐ガンダイオードにおいて、前記第2の半導体層の上面に第1の電極と第2の電極を離して形成し、該両電極の離間領域の上面から、最小深さが前記活性層に届き最大深さが前記第1の半導体層に届くまでの間の任意の深さに、イオン注入により高抵抗領域を形成し、且つ前記第1の電極をほぼ15μm又はそれより若干小さい直径とし、前記第2の電極を前記第1の電極よりも大きな面積としたことを特徴とするインジウム燐ガンダイオード。

IPC (2件)：

H01L 47/02 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 47/02 ,  H01L 21/28 301 H

Fターム (12件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB10 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104GG02