特許

J-GLOBAL ID：200903087031019331

半導体集積回路装置、その製造方法およびその製造に用いるスパツタターゲツト

発明者： 河渕 靖 ,  谷垣 幸男 ,  春田 亮 ,  加藤 登季男 ,  佐原 政司 ,  鈴樹 正恭 ,  石田 進一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201715
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047760
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 Cu配線の耐酸化性を向上させる。また、Si基板やSi系絶縁膜に対する接着性を向上させる。【構成】 Cu配線1の耐酸化性を向上させるため、電気陰性度がCuと同等乃至Cuよりも大きい元素を添加したCu合金を用いる。また、Si基板やSi系絶縁膜に対する接着性を向上させるため、電気陰性度がSiと同等乃至Siよりも小さい元素を添加したCu合金を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にCu配線を有する半導体集積回路装置であって、前記Cu配線は、電気陰性度がCuと同等乃至Cuよりも大きい元素を0.01重量%以上、10重量%未満の範囲で添加したCu合金で構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/46