特許
J-GLOBAL ID：200903087033085242
表面処理装置および表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-101424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-293469
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】【課題】表面処理の品質の向上と、処理速度の向上を図る。【解決手段】放電室8の両電極1、2間で放電が行われると、原料ガス4がプラズマ化され、このプラズマ化されたガス4 ́が生成される。放電室8と表面処理室9は、表面処理室9に近い側の電極2に形成した連通路であるノズル10によって連通されており、放電室8で生成されたプラズマ化されたガスが、ノズル10を介してプラマジェット4′′として基板5上に噴射され、この基板5が成膜される。
請求項（抜粋）：
対向して設けられた両放電電極間で放電を行うことにより、ガスをプラズマ化し、このプラズマ化したガスを基板に導くことにより、当該基板を前記ガスにより表面処理する表面処理装置において、前記両放電電極間で放電を行う放電室と、前記ガスが導かれることにより前記基板を表面処理する表面処理室とを分離するとともに、前記放電室と前記表面処理室とを、前記両放電電極のうちで前記表面処理室に近い方の放電電極に形成した連通路によって連通させて、前記放電室で生成されたプラズマ化されたガスを、前記連通路を介して前記表面処理室に導くようにしたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, G11B 5/84
, H01L 21/205
, H01L 21/31
C23C 16/50
, G11B 5/84 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
