特許
J-GLOBAL ID：200903087033138982
化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-294268
公開番号（公開出願番号）：特開2004-102264
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】 160nm以下、具体的にはF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (a)特定の部分構造を側鎖に有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、(b)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物(c)下記計算式(1)で求められる値が0.1以上0.5以下である、分子量3000以下の低分子化合物、 (炭素原子数-酸素原子数-0.5×フッ素原子数)/全原子数 (1)及び、(d)溶剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)下記一般式(I)で表される部分構造を側鎖に有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、
(b)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、
(c)下記計算式(1)で求められる値が0.1以上0.5以下である、分子量3000以下の低分子化合物、
(炭素原子数-酸素原子数-0.5×フッ素原子数)/全原子数 (1)
及び
(d)溶剤
を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
IPC (8件)：
G03F7/039
, C08F10/14
, C08F12/34
, C08F16/24
, C08F20/18
, C08F32/00
, G03F7/004
, H01L21/027
G03F7/039 601
, C08F10/14
, C08F12/34
, C08F16/24
, C08F20/18
, C08F32/00
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J100AA20Q
, 4J100AB07P
, 4J100AL08S
, 4J100AR09R
, 4J100AR11R
, 4J100BA02P
, 4J100BA02R
, 4J100BA02S
, 4J100BB07P
, 4J100BB07R
, 4J100BB07S
, 4J100BC04P
, 4J100BC04R
, 4J100BC04S
, 4J100BC08P
, 4J100BC43P
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100DA39
, 4J100JA38
