特許

J-GLOBAL ID：200903087035578203

スピンバルブMRヘッド及び同ヘッドを搭載した磁気ディスク装置

発明者： 幅田 政明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-025427
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】導電性のバイアス電流層を用いてフリー層の磁化方向を制御することで硬質磁性層を不要とし、スピンバルブ膜の抵抗を下げてS/N比を改善する。【解決手段】反強磁性層164により磁化方向204が固定される磁化固着層161と記録媒体からの漏洩磁界190により磁化方向201が変化するフリー層162との間に非磁性層163が設けられたスピンバルブ膜160を用いたスピンバルブMRヘッドにおいて、導電性のバイアス電流層21をスピンバルブ膜160の近傍、例えばフリー層162側に、絶縁層22を介して設け、バイアス電流層21にバイアス電流202を流すことで発生する磁界203のフリー層162での方向が、磁化固着層161の磁化方向204と直交する方向となるように、電流202が供給可能な構成とし、漏洩磁界190がない状態におけるフリー層162の磁化方向201を磁化固着層161の磁化方向204と直交させる。

請求項（抜粋）：

反強磁性層により磁化方向が固定される磁化固着層と記録媒体からの漏洩磁界により磁化方向が変化するフリー層との間に非磁性層が設けられたスピンバルブ膜を用いたスピンバルブMRヘッドにおいて、前記フリー層を予め定められた第1の方向に磁化するための、当該第1の方向に対して垂直な第2の方向にバイアス電流を流すことが可能な導電性のバイアス電流層を前記スピンバルブ膜に近接して当該スピンバルブ膜に平行に設けたことを特徴とするスピンバルブMRへッド。