トランジスタの製造方法,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-195164
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045925
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】ソース・ドレイン領域の形成を低温で短時間に行うことが可能な薄膜トランジスタの簡単な製造方法を提供する。【解決手段】多結晶シリコン膜2とコンタクトするコンタクトホール6を、層間絶縁膜5およびゲート絶縁膜3に形成する。次に、コンタクトホール6内を含むデバイスの全面にアルミ膜を形成して所望の形状にパターニングすることで、ソース・ドレイン電極7を形成する。続いて、透明絶縁基板1の裏面からRTA法を用いてランプ光を照射する。すると、アルミ膜からなるソース・ドレイン電極7がランプ光を吸収して加熱され、ソース・ドレイン電極7中のアルミが多結晶シリコン膜2中へ固相拡散する。その結果、p型不純物であるアルミによって多結晶シリコン膜2中にp型のソース・ドレイン領域8が形成される。

請求項（抜粋）：

ソースまたはドレイン電極中の不純物の固相拡散を利用してソースまたはドレイン領域を形成する工程を備えたトランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/225 , H01L 21/26

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/225 M , H01L 21/225 P , H01L 21/26 L , H01L 29/78 616 J

前のページに戻る