特許
J-GLOBAL ID：200903087044020460
薄膜電極の形成方法及び該薄膜電極を備えたバイオセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-296267
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 高感度の薄膜電極及び高性能で安価なバイオサンサを提供する。【解決手段】 基板表面を真空雰囲気下で励起された気体を衝突させることで粗面にした後、導電性物質よりなる薄膜電極層を形成することで、表面研磨処理等の前処理不要な表面濡れ性の良好な且つ高感度な薄膜電極を、また、前記薄膜電極上に試薬層を展開することで、高性能且つ安価なバイオセンサを作製する。
請求項（抜粋）：
真空雰囲気下において、励起された気体を基板の表面に衝突させることで前記基板の表面を粗面にする工程の後に、粗面にした前記基板の表面上に導電性物質よりなる薄膜電極層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜電極の形成方法。
IPC (4件)：
G01N 27/28 331
, G01N 27/30
, G01N 27/327
, G01N 27/416
G01N 27/28 331 Z
, G01N 27/30 F
, G01N 27/30 B
, G01N 27/30 353 P
, G01N 27/46 338
