特許
J-GLOBAL ID：200903087044424987
化合物半導体結晶気相成長方法及び気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-026498
出願日： 2001年07月11日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：
【要約】【課題】 フローチャネル内壁への堆積物付着によるフローチャネルの割れを防止すると共に、結晶基板上に原料ガスを効率よく供給できる化合物半導体結晶気相成長方法及び気相成長装置を提供する。【解決手段】 石英製のフローチャネル1へのヒ素化合物の堆積を、フローチャネル1の外部から不活性ガスを導入することにより抑止し、フローチャネル1と堆積したヒ素化合物との間での歪みによるフローチャネル1の割れを防止することができる。そのための手段として、フローチャネル1に微小孔4を形成することにより、不活性ガスで満たされた外部からフローチャネル1内に不活性ガスを流し、フローチャネルへのヒ素化合物の堆積を抑止することができる。さらには不要部分への堆積を防止できることにより、原料ガスの利用効率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
石英製のフローチャネル内に結晶基板を配置した後、該フローチャネルを反応炉内に収容し、上記フローチャネル内に少なくとも2種類の原料ガスを供給して上記結晶基板上にヒ素系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる化合物半導体結晶気相成長方法において、上記フローチャネルのエピタキシャル成長面の対向面に形成された多数の微小孔から不活性ガスを上記フローチャネル内に導入することを特徴とする化合物半導体結晶気相成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
4G077AA03
, 4G077BE46
, 4G077DB08
, 4G077EG22
, 4G077EG25
, 4G077TG03
, 4G077TH11
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045BB13
, 5F045DP04
, 5F045EB02
, 5F045EE14
, 5F045EM02
