特許
J-GLOBAL ID：200903087044711641
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061968
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236870
出願日： 1995年02月24日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 電気的特性が良く、かつ信頼性の高い半導体レーザ装置及びこれを歩留まり良く製造することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【構成】 基板表面を異方性エッチングによりレーザ発振領域直下の領域が平面状をなし、かつそれ以外の領域が基板の(111)面を表面とする斜面のみで構成されるようにし、MBE法、MOMBE法、CBE法などによりクラッド層、活性層などを形成してレーザ発振構造を形成することにより、基板の(111)面上では例えばp型クラッド層が高抵抗層となることから、結晶成長前の基板に対するエッチング処理のみで電流狭窄構造が得られ、製造工数を減らせると共にドーピング、エッチングなどによる各層への悪影響を最小限に留めることができることから、電気的特性が良く信頼性の高い半導体装置が歩留り良く製造できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、第1導電型の第1クラッド層と活性層と第2導電型の第2クラッド層とコンタクト層とをこの順番に有し、前記基板と前記コンタクト層との間に電圧を印加して前記活性層のレーザ発振領域からレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、前記基板上のレーザ発振領域直下の領域が平面からなると共にそれ以外の領域が、(111)面を表面とする斜面のみから構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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