特許
J-GLOBAL ID：200903087044738329
酸化物高温超伝導薄膜の製造方法及びそれによる光学素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉持 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097590
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 電気光学効果を有する結晶を基板として、その上に、超伝導体薄膜による電極層を形成するときに、結晶基板との間に、基板と超伝導体薄膜との反応を防止するバッファー層となるY2O3部分安定化ZrO2 膜を形成することにより、特性の著しく改良された光学素子を提供することを目的とする。【構成】電気光学結晶基板の上に、3〜60モル%Y2O3部分安定化酸化ジルコニウム(ZrO2 )薄膜を成膜する第1工程と、得られたY2O3部分安定化酸化ジルコニウム薄膜を、水蒸気含有酸素雰囲気で400°C以上の温度で数分間以上加熱処理する第2工程と、加熱処理した酸化ジルコニウム薄膜の上に、Cu系酸化物高温超伝導材料を成膜する第3工程を特徴とする酸化物高温超伝導薄膜の製造方法及びそれにより製造される光学素子を提供する。
請求項（抜粋）：
電気光学結晶基板の上に、3〜60モル%Y2O3部分安定化酸化ジルコニウム(ZrO2 )薄膜を成膜する第1工程と、得られたY2O3部分安定化酸化ジルコニウム薄膜を、水蒸気含有酸素雰囲気で400°C以上の温度で数分間以上加熱処理する第2工程と、加熱処理した酸化ジルコニウム薄膜の上に、Cu系酸化物高温超伝導材料を成膜する第3工程を特徴とする酸化物高温超伝導薄膜の製造方法。
IPC (11件)：
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22
, C30B 29/30
, G02F 1/03 ZAA
, G02F 1/35 503
, H01B 13/00 565
, H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
