特許

J-GLOBAL ID：200903087045398408

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹内 健 ,  作井 康司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-083457
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255495
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 リード・ディスターブ等の不都合を招くことなく、ランダムリードの高速化をはかること。【構成】 複数個の不揮発性メモリセルを接続してなり、一端側が選択トランジスタを介して第1の信号線11に接続され、他端側が選択トランジスタを介して第2の信号線12に接続されたメモリセルユニット30を、マトリクス状に配置してなるメモリセルアレイを有するEEPROMにおいて、第1の信号線11を第1の読み出し電位VA に設定すると共に、第2の信号線12を第2の読み出し電位VB に設定した後、ワード線に読み出し電圧を印加し、第1の信号線11に現れる電圧変化ΔVA と第2の信号線12に現れる電圧変化ΔVB をセンスアンプ40により検出すること。

請求項（抜粋）：

一端側が直接又は選択トランジスタを介して第1の信号線に接続され、他端側が直接又は選択トランジスタを介して第2の信号線に接続され、ワード線により選択される不揮発性メモリセルを、マトリクス状に配置してなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、第1の信号線を第1の読み出し電位V1 に設定すると共に、第2の信号線を第2の読み出し電位V2 に設定する手段と、第1及び第2の信号線を前記各電位V1 ,V2 にそれぞれ設定した状態で、前記ワード線に所定の読み出し電圧を印加する手段と、前記読み出し電圧の印加により第1の信号線に現れる電圧変化ΔV1 と第2の信号線に現れる電圧変化ΔV2 を検出する手段とを具備してなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 520 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371