特許
J-GLOBAL ID：200903087046172608

半導体チップの製造方法

発明者：
源田 悟史

源田 悟史 について

, 
岡田 純

岡田 純 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348277
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116739
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】半導体ウエーハが先ダイシングによって分割される個々の半導体チップの表面にダメージを与えることなく、その裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハ2の表面から所定の深さの分割溝23を形成する分割溝形成工程と、ウエーハの表面に保護部材4を貼着する保護部材貼着工程と、ウエーハの裏面を研削して裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面にダイシングテープ62に貼着された接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに該ダイシングテープ側から該分割溝に沿って該ダイシングテープには吸収されないが該接着フィルムには吸収される波長のレーザー光線を照射し該接着フィルムを該分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、 半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、 該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、 半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、 個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに該ダイシングテープ側から該分割溝に沿って該ダイシングテープには吸収されないが該接着フィルムには吸収される波長のレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00
FI (5件)：
H01L21/78 Q ,  B23K26/00 320E ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  H01L21/78 M
Fターム (9件)：
4E068AE01 ,  4E068DA00 ,  4E068DB07 ,  4J004FA04 ,  4J004FA08 ,  4J040JA09 ,  4J040JB09 ,  4J040MA02 ,  4J040NA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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