特許

J-GLOBAL ID：200903087059851644

半導体装置およびその製造方法

発明者： 副島 顕幸 ,  高田 育紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335386
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314801
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 ダイオードなどの半導体装置における逆回復電荷や順方向電圧の低減を図り、ソフトリカバリー特性を得ること。【構成】 P拡散層12の表面不純物濃度が1×1015cm-3から1×1017cm-3までの範囲内にあり、かつP拡散層12の厚さD1 は0.1μmから3.0μmまでの範囲内にある。【効果】 P拡散層12の表面不純物濃度の値が低いため、順方向動作時にP拡散層12からN- 半導体基板11への少数キャリアの注入が抑制され、逆回復電荷が減少する。P拡散層12の厚みが薄いため、さらに逆回復電荷が減少し、順方向電圧が減少する。逆回復電荷の減少に伴って逆回復電流のピークが小さくなり、その結果としてソフトリカバリー化が達成され、サージ電圧が低減される。

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、(a) 第1と第2の主面を備え、第1の不純物濃度を有する第1導電型の第1の半導体層と、(b) 前記第1の半導体層の前記第1の主面上に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、(c) 前記第1の半導体層の前記第2の主面上に設けられ、前記第1の不純物濃度より高い第2の不純物濃度を有する第1導電型の第3の半導体層と、(d) 前記第2の半導体層に電気的に接触する第1の電極層と、(e) 前記第3の半導体層に電気的に接触する第2の電極層と、を備え、前記第1の電極層側の表面における前記第2の半導体層の不純物濃度が、1×1015cm-3から1×1017cm-3までの範囲内にあり、かつ前記第2の半導体層の厚さが、0.1μmから3.0μmまでの範囲内にあることを特徴とする半導体装置。