特許
J-GLOBAL ID:200903087060945245

高純度カンデサルタンシレキセチルの調製

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  福本 積 ,  古賀 哲次 ,  渡辺 陽一 ,  西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-013916
公開番号(公開出願番号):特開2005-320318
出願日: 2005年01月21日
公開日(公表日): 2005年11月17日
要約:
【課題】 高純度でカンデサルタンシレキセチルを調製することを課題とする。【解決手段】 本発明は、トリチルカンデサルタンシレキセチルの脱保護とカンデサルタンシレキセチルの結晶化および/または再結晶化により、実質的に純粋なカンデサルタンシレキセチルを調製することを特徴とする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
面積パーセントHPLCで約0.1%未満のカンデサルタンデスエチルを有する実質的に純粋なカンデサルタンシレキセチル。
IPC (4件):
A61K31/4184 ,  A61P9/12 ,  A61P43/00 ,  C07D403/10
FI (4件):
A61K31/4184 ,  A61P9/12 ,  A61P43/00 111 ,  C07D403/10
Fターム (17件):
4C063AA01 ,  4C063BB06 ,  4C063CC47 ,  4C063DD26 ,  4C063EE01 ,  4C086AA01 ,  4C086AA02 ,  4C086AA04 ,  4C086BC62 ,  4C086GA07 ,  4C086MA01 ,  4C086MA04 ,  4C086NA06 ,  4C086NA20 ,  4C086ZA42 ,  4C086ZC20 ,  4C086ZC42
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第5,196,444号
  • 米国特許第5,578,733号
審査官引用 (2件)
引用文献:
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