特許

J-GLOBAL ID：200903087063354671

半導体装置

発明者： 柏 卓夫 ,  小丸 真喜雄 ,  宇土元 純一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069529
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 低周波から超高周波までの広範囲にわたって低インピーダンスを得ることができ、高周波での利得を向上することができる高周波電界効果トランジスタを得る。【解決手段】 ソース電極およびドレイン電極の両方もしくはソース電極を、能動層内に拡散するAu等の金属2と、能動層内に拡散せず能動層界面との間でショットキーバリアダイオードを形成するWSi等の金属1を平面方向に配置し、形成したものである。以上のように構成することにより、WSi等の高融点金属1が半導体界面との間で形成するコンデンサによりバイパス回路が形成され、高周波において低インピーダンスが得られ、低周波においてはAu等の低抵抗金属2が基板内部に拡散しており、抵抗の低減に寄与する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に順次形成された半導体層よりなる、チャネルおよび電子供給層を含む能動層、この能動層上に形成されたゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を備え、上記ソース電極およびドレイン電極の両方もしくは一方を、上記能動層内に拡散する第1の金属と、上記能動層内に拡散せず上記能動層界面との間でショットキーバリアダイオードを形成する高融点の第2の金属により形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 M ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/80 L