特許

J-GLOBAL ID：200903087065949664

ヘテロ接合型遷移金属酸化物デバイス

発明者： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹 ,  上田 寛
出願人/特許権者： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹
代理人 (1件)： 小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-332739
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172165
出願日： 2002年11月15日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】遷移金属酸化物からなる優れた整流特性、光感度を有するヘテロ接合デバイスを提供する。【解決手段】デバイスの基本となる部分は、Nbなどを少量ドープしてn型半導体特性を持たせた二酸化チタン(TiO2)またはチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)上に、二酸化バナジウム(VO2)などの遷移金属酸化物がエピタキシャル成長している。本デバイスは、通常の半導体pn接合と同等の整流特性を有しダイオード若しくはトランジスタとしての機能を発揮する。また、光照射下においてフォトダイオード若しくはフォトトランジスタとしての機能を発揮する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

n型半導体特性を有するチタンを含む酸化物単結晶基板とその上に作製された遷移金属酸化物薄膜からなるヘテロ接合型遷移金属酸化物デバイス。

IPC (2件)：

H01L31/10 ,  H01L27/14

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 Z

Fターム (19件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118GA10 ,  5F049MA03 ,  5F049MA13 ,  5F049MB01 ,  5F049NA07 ,  5F049NA10 ,  5F049NA11 ,  5F049NA17 ,  5F049PA06 ,  5F049PA20 ,  5F049SS02 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05