特許

J-GLOBAL ID：200903087067234093

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240179
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082639
出願日： 1995年09月19日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 非晶質ケイ素膜を結晶化してなる高品質な結晶性ケイ素膜を用いて、高移動度を有する高性能半導体装置を得る。【解決手段】 ガラス基板101の絶縁膜102上にシリコンゲルマニウム膜103を成膜し、これにエネルギービームを照射して溶融固化過程にて結晶化させた後、その上に非晶質ケイ素膜104を成膜し、これを熱処理して、結晶化したシリコンゲルマニウム膜103cをシードとして、非晶質ケイ素膜104を結晶成長させ、該結晶化した結晶性ケイ素膜104cを用いて、TFT100の活性領域104iを形成するようにした。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板と、該基板上に形成され、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域とを備えた半導体装置であって、該活性領域は、エネルギービームの照射により溶融固化過程にて結晶化されたゲルマニウム膜またはゲルマニウムを含むケイ素膜をシードとして、非晶質ケイ素膜を結晶成長させてなるものである半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-035019
  
• 特開平1-196116
  
• 特開平4-288817