特許

J-GLOBAL ID：200903087069501498

エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル

発明者： 棚瀬 健司 ,  西川 龍司 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041040
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228570
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】エレクトロルミネッセンス素子の信頼性向上。【解決手段】真空蒸着などで形成でき、少なくとも緻密で被覆性が高く、耐スパッタ性、耐プラズマ性などに優れたCuPc膜を含む第1保護膜50によってEL素子の上部電極40を覆い、第1保護膜50の上に基板全体を覆ってSiNx等の無機材料を主とする第2保護膜60を形成する。無機材料を用いた保護膜は、耐水性や機械的強度に優れるがスパッタリングやCVDなどによって形成されるため、その成膜中に下層の金属層や更に下層の有機材料を含む発光素子層30がダメージを受ける可能性がある。これをCuPc膜を含む第1保護膜50により防止できる。このCuPc膜は柔らかく応力緩和性も備えるため上部電極40をAlなどによって形成した場合にも第2保護膜60の形成時に表面が加熱されてヒロックなどが発生することを防止できる。上部電極40としてバッファ層を介在させる積層構造をさらに採用しても良い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極と上部電極との間に発光材料を含む発光素子層を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、 前記上部電極を覆って銅フタロシアニン誘導体を含む第1保護膜が形成され、 前記第1保護膜を覆って第2保護膜が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (3件)：

H05B 33/04 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26

FI (3件)：

H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z

Fターム (7件)：

3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BB02 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-081378   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-121226   出願人：松下電器産業株式会社