プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058292
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】パルスプラズマプロセスにおいて、放電が不安定になることを防ぎつつ、プラズマ発生用の高周波パルス電力がオフである時間を長くできるようにする。【解決手段】チャンバー10の上には誘電体板11を介して渦巻き状電極12が設けられており、該渦巻き状電極12には高周波パルス電源13からプラズマ発生用の高周波パルス電力が供給される。チャンバー10の底部には試料台14が設けられ、該試料台14の上には被エッチング試料15が載置されている。試料台14の下側にはバイアス用のDCパルス電源17が設けられており、試料台14とDCパルス電源17とはストリップ線路16を介して接続されている。チャンバー10の側面には真空紫外光源19及びシリンドリカルレンズ20が設けられており、プラズマ発生用の高周波電力がオフであるときに、シリンドリカルレンズ20を介して真空紫外光源19からプラズマ発生領域18に真空紫外光が照射される。

請求項（抜粋）：

被処理基板を保持する試料台が設けられていると共に反応性ガスを導入するガス導入手段を有する真空チャンバーと、前記真空チャンバーに、所定レベルの高周波電力を間欠的に繰り返し供給するか又は高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することにより、前記真空チャンバーに前記反応性ガスからなるプラズマを発生させる高周波電力供給手段と、前記高周波電力供給手段から前記所定レベルの高周波電力が供給されていない期間又は前記低レベルの高周波電力が供給されている期間に、前記反応性ガスにエネルギービームを照射するエネルギービーム照射手段と、前記試料台にバイアス電圧を印加するバイアス電圧供給手段とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 A , H05H 1/46 M , C23F 4/00 A , H01L 21/302 B

Fターム (21件)：

4K057DA12 , 4K057DA16 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE11 , 4K057DG15 , 4K057DM04 , 4K057DM20 , 4K057DN01 , 5F004AA02 , 5F004AA03 , 5F004BA04 , 5F004BA09 , 5F004BB02 , 5F004BB05 , 5F004BD04 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DB01 , 5F004DB02

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