特許
J-GLOBAL ID：200903087083743003
フューズ配線を有する電子装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061012
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264654
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 フューズ配線を有し、かつ、基板表面の平坦化に有効な電子装置を提供する。【構成】 表面もしくは表面上に電子素子が形成された基板19と、基板の上に形成された少なくとも1層の下層配線層30と、下層配線層の上に形成された層間絶縁膜22と、層間絶縁膜の上に形成され、外部からの作用によって切断することができるフューズ配線26を含むフューズ配線層32とを有し下層配線層には、一部領域に、基板と電気的に絶縁され、下層配線層内の配線と同時に形成されたダミーパターン24,25が配置され、かつ、フューズ配線の両側に隣接して、配線及びダミーパターンが配置されていない領域が設けられている。
請求項（抜粋）：
表面もしくは表面の上に電子素子が形成された基板と、前記基板の上に形成された少なくとも1層の下層配線層と、前記下層配線層の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成され、外部からの作用によって切断することができるフューズ配線を含むフューズ配線層とを有し、前記下層配線層には、一部領域に、前記電子素子と電気的に絶縁され、該下層配線層内の配線と同時に形成されたダミーパターンが配置され、かつ、前記フューズ配線の両側に隣接して、配線及びダミーパターンが配置されていない領域が設けられている電子装置。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/82 F
, H01L 21/82 W
, H01L 21/88 S
, H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 B
