特許
J-GLOBAL ID：200903087084619004
回転軸への成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248037
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060928
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 すべり軸受において、回転軸の軸受と、摺接する回転軸の端面と円周面に硬質炭素膜を良好に形成する成膜方法を提供する。【解決手段】 蒸発源15を備えた真空槽13内において、回転軸10の端面10aが蒸発源15と対向するように配置する。回転軸10はバイアス電圧電源16に接続する。そして、回転軸10の円周面10bの周囲に、距離をおいて接地電位と接続された補助電極14を設置する。ガス導入口11からアルゴンガスと炭素を含むガスを混合し導入し、その後、回転軸10にバイアス電圧を印加し、蒸発源15にはスパッタ電源17を印可し、真空槽内13にプラズマを発生させる。また補助電極14と円周面10bとの間にプラズマを発生させることにより、回転軸10の端面10aと円周面10bとに硬質炭素膜を形成する。
請求項（抜粋）：
軸受により回転自在に支持される回転軸の、軸受と摺接する端面及び円周面に、スパッタリング装置により硬質炭素膜を形成する回転軸への成膜方法であって、回転軸の前記端面がスパッタリング装置の蒸発源と対向するように配置し、回転軸の円周面の周囲に間隔をおいて補助電極を配置する第1の工程と、真空槽内を真空にした後、炭素を含むガス、及び不活性ガスを真空槽内に導入して混合状態とする第2の工程と、前記真空槽内にプラズマを発生させると同時に、前記回転軸の円周面と前記補助電極との間にプラズマを発生させることにより、回転軸の前記端面と円周面とに硬質炭素膜を同時に形成する第3の工程とを有することを特徴とする回転軸への成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/06
, C23C 14/34
, F16C 33/24
C23C 14/06 F
, C23C 14/34 N
, F16C 33/24 Z
3J011AA20
, 3J011CA05
, 3J011DA02
, 3J011MA21
, 4K029AA02
, 4K029AA21
, 4K029BA34
, 4K029BC02
, 4K029BD04
, 4K029CA04
, 4K029CA06
, 4K029CA13
, 4K029JA08
