特許

J-GLOBAL ID：200903087095372426

半導体装置の製造方法

発明者： 山田 義明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240009
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099193
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 Al合金膜上にTiN膜を形成した積層構造で配線を形成した場合の電気特性を良好にする。【構成】 Al合金膜5を形成後、基板1を150°C以下に冷却してTiN膜6を反応性スパッタにて形成し、その後、その積層構造で配線を形成する。TiN膜6の形成を低温で行うため、その際、Al合金膜の表面が窒化されることはなく、Al合金膜の結晶の配向面がそろいエレクトロマイグレーション寿命が向上する。またその上に第2の配線を形成した場合の接続抵抗も小さい。

請求項（抜粋）：

Al形成工程と、高融点金属窒化膜形成工程を含み、少なくともAl或いはAl合金膜と高融点金属窒化膜を含む積層構造により、Al配線を形成する半導体装置の製造方法であって、Al形成工程は、真空中にて反応性スパッタリング法により前記積層構造のAl或いはAl合金膜を基板上に形成する工程であり、高融点金属窒化膜形成工程は、Al形成工程を経た基板の周囲雰囲気を真空状態に保ったまま、反応性スパッタリング法により前記基板のAl或いはAl合金膜上に高融点金属窒化膜を形成する工程であり、前記高融点金属窒化膜の形成直前における基板温度は、150°C以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。