特許

J-GLOBAL ID：200903087097536957

薄膜太陽電池及びその製造方法

発明者： 梶本 淳 ,  小浦 節子 ,  坂戸 健二
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339748
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164909
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【目的】 下層絶縁皮膜及び上層絶縁皮膜をゾル-ゲル法で形成し、太陽電池用絶縁基板として要求される絶縁特性,電極材との密着性を改善する。【構成】 この太陽電池は、基材としての金属板1の表面に、ゾル-ゲル法により形成した厚み0.5〜10μmの下層絶縁皮膜2及び上層絶縁皮膜3を介して下部電極4,薄膜半導体層5及び上部電極6が形成されている。絶縁皮膜2,3には、可視光反射率70%以上の絶縁性粉末4を分散させても良い。下層絶縁皮膜2としては、絶縁特性の高いシリカ系膜が使用される。上層絶縁皮膜3は、その上に形成される下部電極4に対する密着性に優れた膜に作り込まれる。

請求項（抜粋）：

金属板を基板とし、絶縁皮膜,下部電極,薄膜半導体層及び上部電極が基板上に順次積層され、前記絶縁皮膜は、ゾル-ゲル法で形成された下層絶縁皮膜と、組成の異なる浴を用いたゾル-ゲル法で形成され、下部電極材に対する密着性に優れた上層絶縁皮膜の2層構成であることを特徴とする薄膜太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (6件)：

5F051BA15 ,  5F051BA18 ,  5F051GA02 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06 ,  5F051GA14