特許

J-GLOBAL ID：200903087104951213

積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 佐野 浩 ,  藤原 貴 ,  坪井 伸行 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135797
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 Mo-W10原子%の下層金属膜とAl-Zr0.9原子%の積層のゲート電極の端面形状を制御し、層間絶縁層のカバレッジ状態を良好にして絶縁特性を低下させない薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板1上に、半導体層2として多結晶シリコンを形成する。その上に、ゲート絶縁層4のSiO2形成する。さらに、第1のゲート電極5として膜厚100nmのMo-W10原子%と第2のゲート電極6として膜厚100nmのAl-Zr0.9原子%の積層膜をスパッタ法により成膜し、第1のウェットエッチングをりん酸・硝酸・酢酸・水の混酸でにより行う。続いて、フォレジスト7を除去せずに、りん酸・水の混酸でゲート電極層のエッチングをし第2のゲート電極層6のサイドエッチングを進行させる。これにより、以降工程で形成する層間絶縁層8のガバレッジ性を確保できる。

請求項（抜粋）：

Moを主成分とする下層金属膜とAlを主成分とする上層金属膜との積層膜のパターン形成において、前記積層膜を一度にエッチングする工程と、Alを主成分とする前記上層金属膜を選択的にエッチングし所定の形状に加工する工程を有することを特徴とする積層膜の形状加工方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  C23F 4/00 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 617 U ,  C23F 4/00 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 617 V