半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319624
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169083
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】ホットキャリアやトンネル電流に対する耐性の高いMOSトランジスタと不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。【構成】MOSトランジスタのゲート絶縁膜内に、窒素、フッ素、塩素、りん、砒素、硼素、アルミニウム、炭素、ガリウムおよびゲルマニウムの少なくとも1種を、上記ゲート絶縁膜の厚さ方向に、濃度が周期的に変化するように含有させる。【効果】上記ゲ-ト絶縁膜を用いることにより、MOSトランジスタのホットキャリアによる特性劣化が低減され、また、上記絶縁膜を用いたフラッシュ型不揮発性メモリは、書き込み/消去の繰返しによる特性劣化が著しく低減される。

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する半導体基板の表面領域内に所定の間隔を介して配置された上記第1導電型とは逆の第2導電型を有するソース領域およびドレイン領域と、当該ソース領域およびドレイン領域の間に介在する領域上の上記半導体基板の主表面上に形成されたゲート絶縁膜および当該ゲート絶縁膜上に形成された電極を少なくとも具備し、上記ゲ-ト絶縁膜には不純物が添加されており、当該不純物の濃度は、上記ゲ-ト絶縁膜の厚さ方向に周期的に変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , G11C 16/02 , G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , G11C 17/00 307 D

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