特許

J-GLOBAL ID：200903087107501871

半導体装置

発明者： 岩佐 隆行
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061377
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250828
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の周縁からの水の浸入や汚染物質の侵入等を防止することにより電気的信頼性を向上することができ、さらに半導体基板の周縁において電気的短絡の要因を排除しつつ、半導体基板の周縁において発生する応力を緩和することにより、電気的信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置、例えば反射型液晶表示装置において、半導体基板1の表面周辺部1Bにシールリング60を備え、さらにシールリング60の外側の表面周縁1Cにスクライブエリア1Sを備えている。少なくともシールリング60上及びスクライブエリア1S上を覆う絶縁体(少なくとも第3層目のパッシベーション膜30)が配設され、この絶縁体にはシールリング60上において応力伝播遮断溝31Dが配設されている。また、この応力伝播遮断溝31Dの内部には応力吸収充填材33Dが充填されている。

請求項（抜粋）：

表面中央部に素子領域が配設された半導体基板と、前記半導体基板の表面周辺部に配設されたシールリングと、少なくとも前記シールリング上及び半導体基板の表面周縁上に配設された絶縁体と、前記シールリング上において前記絶縁体に配設された応力伝播遮断溝と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136

FI (3件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/88 S

Fターム (43件)：

2H090HA04 ,  2H090HA05 ,  2H090HC10 ,  2H090HD07 ,  2H090JB04 ,  2H090LA01 ,  2H090LA02 ,  2H090LA05 ,  2H092GA36 ,  2H092GA38 ,  2H092GA39 ,  2H092HA05 ,  2H092JA23 ,  2H092JA34 ,  2H092JA41 ,  2H092JB21 ,  2H092JB57 ,  2H092NA11 ,  2H092NA17 ,  2H092NA30 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033RR04 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR21 ,  5F033VV01 ,  5F033VV03 ,  5F033VV07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX19 ,  5F033XX31