特許
J-GLOBAL ID：200903087110199590
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101949
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294715
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 金型によるリードの切断を行なわずに底面端子型の半導体装置を製造する技術を提供する。実装時の接合強度を向上させた底面端子型の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の外部端子となるリードが封止体底面にて露出する半導体装置に関し、前記底面に露出するリードを、その外端部にて前記底面に対して垂直方向に薄く形成する。また、その製造方法に関し、複数の半導体装置となるリードの組が連続して設けられ、各リードの封止体外端部に位置する切断部に凹部が設けられたリードフレームを用い、前記リードフレームに半導体チップを搭載し、前記半導体チップとリードフレームのリードとを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記リードの凹部にて封止体及びリードを分離して、夫々の半導体装置に分断する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の外部端子となるリードが封止体底面にて露出する半導体装置において、前記底面に露出するリードが、その外端部にて前記底面に対して垂直方向に薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 N
, H01L 23/28 A
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109FA02
, 5F067AB03
, 5F067AB04
, 5F067BC07
