特許

J-GLOBAL ID：200903087111317783

半導体装置の接続孔及びその形成方法

発明者： 星野 和弘 ,  小山 一英
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019461
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216261
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性が高い接続孔を、出来る限り低い温度に基体を加熱した状態で高温スパッタ法により形成する方法、及びかかる方法によって得られた接続孔を提供する。【構成】半導体装置の接続孔は、基体上16に形成された絶縁層18に設けられた開口部20、及びアルミニウムあるいはアルミニウム合金から成り開口部20に埋め込まれた配線材料26から構成され、開口部側壁近傍の配線材料26Aは、開口部中心部20Aの配線材料20Bよりもゲルマニウムを多く含む。半導体装置の接続孔の形成方法は、(イ)基体上に形成された絶縁層に開口部を設ける工程と、(ロ)開口部の側壁にゲルマニウム層を形成する工程と、(ハ)高温スパッタ法によって、開口部にアルミニウムあるいはアルミニウム合金から成る配線材料を埋め込む工程、から成る。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された絶縁層に設けられた開口部、及びアルミニウムあるいはアルミニウム合金から成り該開口部に埋め込まれた配線材料、から構成された半導体装置の接続孔であって、開口部側壁近傍の配線材料は、開口部中心部の配線材料よりもゲルマニウムを多く含むことを特徴とする半導体装置の接続孔。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205