特許

J-GLOBAL ID：200903087112050039

カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法

発明者： 韓 仁 澤 ,  金 夏 辰
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007787
公開番号（公開出願番号）：特開2006-224296
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】最適化された密度を有するカーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びにカーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上にコーティングされた所定サイズの複数のバッファ粒子と、基板上にバッファ粒子を覆うように所定厚さに蒸着された触媒物質を熱処理することによって、それぞれの前記バッファ粒子の表面に形成された触媒層と、それぞれの前記触媒層から成長させたカーボンナノチューブと、を備えるカーボンナノチューブ構造体及びその製造方法、並びに前記カーボンナノチューブ構造体を利用した電界放出素子及びその製造方法により、上記課題は解決される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上にコーティングされた所定サイズの複数のバッファ粒子と、 前記基板上に前記バッファ粒子を覆うように所定厚さに蒸着された触媒物質を熱処理することによって、それぞれの前記バッファ粒子の表面に形成された触媒層と、 それぞれの前記触媒層から成長させたカーボンナノチューブと、 を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ構造体。

IPC (5件)：

B82B 1/00 ,  C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02

FI (5件)：

B82B1/00 ,  C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  H01J1/30 F ,  H01J9/02 B

Fターム (38件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC15 ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA12 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127BB18 ,  5C127CC03 ,  5C127DD02 ,  5C127DD07 ,  5C127DD08 ,  5C127DD14 ,  5C127DD15 ,  5C127DD20 ,  5C127DD32 ,  5C127DD62 ,  5C127EE02 ,  5C127EE04 ,  5C135AA12 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB18 ,  5C135AC03 ,  5C135HH02 ,  5C135HH03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,764,874号明細書