特許

J-GLOBAL ID：200903087113683019

酸化物イオン伝導体及びその製造方法

発明者： 吉岡 秀樹
出願人/特許権者： 兵庫県
代理人 (1件)： 角田 嘉宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-362332
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126269
出願日： 2003年10月22日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】 低温でも酸化物イオン伝導度が高い酸化物イオン伝導体を提供すること。【解決手段】 下記一般式(1);La10±d(Si6-xMx)O27(1)(式中、Mは、同一若しくは異なって、Mg、Al、Sc、Ga、Y又はInを表す。dは、0.5である。)で表され、0<x≦0.9の関係を満たすことを特徴とする。【選択図】 図5-1

請求項（抜粋）：

下記一般式(1); La10±d(Si6-xMx)O27(1) (式中、Mは、同一若しくは異なって、Mg、Al、Sc、Ga、Y又はInを表す。dは、0.5である。)で表され、0<x≦0.9の関係を満たすことを特徴とする酸化物イオン伝導体。

IPC (10件)：

C04B35/50 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 ,  C04B35/16 ,  G01N27/409 ,  G01N27/41 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

FI (10件)：

C04B35/50 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500 ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z ,  H01M8/02 K ,  H01M8/12 ,  C04B35/16 Z ,  G01N27/58 B ,  G01N27/46 325J

Fターム (28件)：

2G004BM04 ,  2G004BM07 ,  2G004BM10 ,  4D006GA41 ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006NA51 ,  4D006NA63 ,  4D006PB62 ,  4D006PC80 ,  4G030AA07 ,  4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA03 ,  4G030BA07 ,  5G301CA02 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB06 ,  5H026BB08 ,  5H026CX05 ,  5H026EE13 ,  5H026HH08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高酸化物イオン伝導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019534   出願人：滝田祐作, 石原達己

審査官引用 (1件)

• 酸素イオン伝導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-153792   出願人：滝田祐作, 石原達己

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Oxide ion conductivity in Sr-doped La10Ge6O27 apatite oxide
• A novel enhancement of ionic conductivity in the cation-deficient apatite La9.33(SiO4)6O2
• Preparation and characterisation of apatite-type lanthanum silicates by a sol-gel process