特許
J-GLOBAL ID：200903087122863348
光学的近接補正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-127293
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069058
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 光学的近接補正(OPC)によって、処理により生じる微小寸法の線幅の変動を減少させることにより、VLSIデバイス・チップの性能を改善する。【解決手段】 光学的近接補正を行う方法は、光学的近接補正を、電気的に関連する構造に限定するだけでなく、個々の形状エッジを処理することによって補正の精度を改善し、設計への凹凸の導入を避けることによって、マスク製造の影響を最小にする。関連する電気的構造の重要なエッジ領域を、解析し、ソートし、処理して、光学的近接補正を受け入れる。
請求項（抜粋）：
VLSIチップのパターニング処理の精度を調整する光学的近接補正方法において、a)前記チップの電気的機能パラメータを定める設計レベルを含む、予め選択されたチップ設計を定める設計データ・セットを入力するステップと、b)前記設計データ・セットを、近接補正を必要とするレベルと、近接効果に寄与するが近接補正を必要としないレベルとにソートするステップと、c)前記近接補正を必要とするレベルを集め、第1の組のエッジ・プロジェクションを形成するステップと、d) 前記第1の組のエッジ・プロジェクションを、前記電気的機能パラメータを決める設計レベルと交差させ、その間の共通部分を集めるステップと、e)前記共通部分を、それらの近接補正特性によってソートするステップと、f)前記ソートされた共通部分を、最終的な近接補正フォトマスク形状内に作製するステップと、を含むことを特徴とする光学的近接補正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
