特許

J-GLOBAL ID：200903087128965096

半導体装置及びその製造方法

発明者： 李 ▲徳▼炯 ,  呉 在熙
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-059245
公開番号（公開出願番号）：特開2004-274051
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】 標準ロジック工程にリソグラフィ工程を最小限に追加して費用効率が高く、金属コンタクトの深さを減らすことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置はセルアレー領域と、周辺回路領域と、第1絶縁膜と、第2絶縁膜とを備える。セルアレー領域は、半導体基板内に形成され、下部電極を有するキャパシターを含み、下部電極は下部電極高さを有する。周辺回路領域は、半導体基板内に形成され、第1金属厚さを有する第1金属配線を含む。第1絶縁膜は、セルアレー領域上及び周辺回路領域上に形成され、下部電極が形成された開口部を有する。第2絶縁膜は、第1絶縁膜上に形成され、第1金属配線が配列されている。下部電極高さと第1金属厚さとはほぼ同じであり、下部電極及び第1金属配線の各下部面はほぼ同一平面上に位置する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板内に形成され、下部電極を有するキャパシターを含み、前記下部電極は下部電極高さを有するセルアレー領域と、 前記半導体基板内に形成され、第1金属厚さを有する第1金属配線を含む周辺回路領域と、 前記セルアレー領域上及び前記周辺回路領域上に形成され、前記下部電極が形成された開口部を有する第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1金属配線が配列されている第2絶縁膜とを備え、 前記下部電極高さと前記第1金属厚さとはほぼ同じであり、前記下部電極及び前記第1金属配線の各下部面はほぼ同一平面上に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (2件)：

H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651

Fターム (21件)：

5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR36 ,  5F083PR41 ,  5F083ZA12