特許
J-GLOBAL ID：200903087141001136
磁気抵抗効果膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034897
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233540
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果膜の面内側方に磁区制御層を設けずとも、バルクハウゼンノイズの発生を抑制することができ、磁気抵抗効果素子の微細化を可能とする。【解決手段】 非磁性導電層3を挟んで第1の強磁性層2及び第2強磁性層4が設けられ、第1の強磁性層2と磁気的に結合した第1の反強磁性層1及び第2の強磁性層4と磁気結合した第2の反強磁性層5が設けられ、第1の強磁性層2及び第1の反強磁性層1の磁気異方性の方向と、第2の強磁性層4及び第2の反強磁性層5の磁気異方性の方向とが実質的に異なる方向であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
外部磁界の変化を磁気抵抗変化により検出するための磁気抵抗効果膜であって、非磁性導電層と、前記非磁性導電層を挟んで設けられる第1の強磁性層及び第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と磁気結合した第1の反強磁性層及び前記第2の強磁性層と磁気結合した第2の反強磁性層とを備え、前記第1の強磁性層及び前記第1の反強磁性層の磁気異方性の方向と、前記第2の強磁性層及び前記第2の反強磁性層の磁気異方性の方向とが実質的に異なることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 Z
, H01F 10/08
