特許
J-GLOBAL ID:200903087143175115
半田極細線およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-159127
公開番号(公開出願番号):特開平5-077087
出願日: 1991年06月28日
公開日(公表日): 1993年03月30日
要約:
【要約】【目的】 線径が0.1mm以下であり線径のばらつきが小さくかつソフトエラーを生じる確率が小さい半田極細線を製造する。【構成】 Pb,In,Snのいずれかを主成分とし酸素濃度が20ppm以下で放射性α粒子のカウント数が0.5CPH/cm2以下の半田材料に、温度10°C以下の条件で伸線加工を施して半田極細線を製造した。【効果】 テンション切れやボイドを生じる確率が小さく、また長尺にわたって製造することが可能である。また、メモリー素子等の接続材料に用いても、ソフトエラーを生じる確率が小さい。
請求項(抜粋):
Pb,In,Snのいずれかを主成分とし、表面酸化皮膜の酸素を含む酸素濃度が100ppm以下、線径が10〜100μmであることを特徴とする半田極細線。
IPC (5件):
B23K 35/40 340
, B21C 1/00
, B23K 35/26 310
, H01L 21/60 311
, H01L 21/321
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭62-197291
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特開平1-283398
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特開昭53-097957
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