半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-329990
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163019
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】半田バンプを使用した半導体装置を、回路基板上に半田バンプの溶融により実装した場合には半導体基板と、回路基板との熱膨張係数の差によるストレスにより半田バンプに応力が掛かり、長期間使用すると半田バンプにクッラクが入ってしまい実用に耐えなかった。【解決手段】半田バンプ26の下の金属メッキバンプ24に着目し、半田バンプにかかる応力を金属メッキバンプの構造、及び材質で吸収できるようにした。半田バンプは半導体基板11の上に形成された後、製品用回路を組むための回路基板19の上に形成された金属配線18に接続される。ここで半導体基板のパッド電極14上に金属メッキバンプ24と半田バンプ26が二層に形成されている。この時、金属メッキバンプの構造は、水平寸法に対して、高さ寸法が1.5倍以上有る構造とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に回路を構成する素子が形成され、かつ回路の入出力および電源電圧を供給するためのパッドを有する半導体装置において、上記半導体基板のパッド電極部に金属メッキバンプと半田バンプが二層に形成されていて、前記金属メッキバンプの水平寸法にたいして、高さ寸法が1.5倍以上有ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 , H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 602 D , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 B

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