特許
J-GLOBAL ID：200903087144421225
セルフ・ド-プ相補性電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286179
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209079
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 非常にマッチングのとれた動作特性および切換え損失の低い相補性電界効果トランジスタを提供すること。【構成】 本発明によれば、チャネル(12)を有する量子井戸を含む第1電界効果デバイス(26)を有する相補性電界効果構造が提供される。第1ドーピング領域(14)は第1量子井戸に隣接して配置され、ゲート電極(29)は第1ドーピング領域(14)がそのゲート電極(29)と第1チャネル(12)との間にあるように配置される。第2電界効果デバイス(37)は量子井戸チャネル(22)と、その第2量子井戸に隣接して配置される第2ドーピング領域(19)とを含む。第2ゲート電極(31)は、第2チャネル(22)は第2ゲート電極(31)と第2ドーピング層(19)との間に配置されるように第2チャネル(22)上に配置される。相互結合部は第1ゲート電極(29)を第2ゲート電極(31)に電気的に結合する。
請求項（抜粋）：
結晶基板(11);前記基板を被覆する第1nチャネル(12)層;前記nチャネル層を被覆する第1スペーサ層(13)であって、前記第1スペーサ層はバンドギャップの広い材料から成るスペーサ層;前記バンドギャップの広い層を被覆する第1ドーピング層(14);前記第1ドーピング層を被覆するバリア層(16)であって、前記バリア層はバンドギャップの広い材料から成るバリア層;前記バリア層の第1部分を被覆する第2ドーピング層(19)であって、前記バリア層の第2部分を露出させる第2ドーピング層;前記バリア層の前記露出した部分上に配置される第1ゲート電極(29)であって、所定の第1電圧が前記第1ゲート電極に印加されるとき、前記第1ドーピング層内の電子を前記第1nチャネルに移動させる第1ゲート電極;前記第1ゲート電極の一方の側に配置され、前記バリア層の前記露出した表面から前記第1nチャネルに伸びる第1n型ソース領域(17);前記第1ソース領域とは反対の前記第1ゲート電極の側に配置され、前記バリア層の前記露出した表面から前記第1nチャネルに伸びる第1n型ドレイン領域(18);前記第2ドーピング層を被覆する第2スペーサ層(21)であって、前記第2スペーサ層はバンドギャップの広い材料から成るスペーサ層;前記第2スペーサ層を被覆する第2nチャネル(22);前記第2nチャネルを被覆するキャップ層(24)であって、前記キャップ層はバンドギャップの広い材料から成るキャップ層;前記キャップ層上に配置される第2ゲート電極(31)であって、所定の第2電圧が前記第2ゲート電極に印加されるとき、前記第2ドーピング層内の電荷キャリアを前記第2nチャネルに移動させる第2ゲート電極;前記第2ゲート電極の一方の側に配置され、前記キャップ層から前記第2nチャネルに伸びる第2n型ソース領域(27);および前記第2ソース領域とは反対の前記第2ゲート電極の側に配置され、前記キャップ層から前記第2nチャネルに伸びる第2n型ドレイン領域(28);から構成されることを特徴とするセルフ・ドープ相補性電界効果トランジスタ。
引用特許：
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