特許

J-GLOBAL ID：200903087146483171

陽極酸化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタ

発明者： 江崎 弘 ,  坪井 伸行 ,  井上 真弓 ,  竹田 守 ,  田村 達彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115089
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 ロット変動なく、高絶縁耐圧が得られる陽極酸化方法を提供し、ゲート・ソース電極間短絡のない薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 絶縁性基板1上に、Al薄膜2を成膜し、フォトリソ・エッチングによりゲート電極3を形成する。ゲート電極表面の自然酸化膜4をアルカリ現像液でエッチング除去し、48時間以内に陽極酸化し第1のゲート絶縁膜AlOx5を形成する。プラズマCVD法で第2のゲート絶縁膜SiNx6とa-Si層7とその上に設けられたチャネル保護膜SiNxを連続成膜し、フォトリソ・エッチングによりチャネル保護膜8を形成する。n+a-Si層を成膜し、フォトリソ・エッチングによりa-Si層7とn+a-Si層9a,9bを形成する。Ti・Alを積層成膜しフォトリソ・エッチングによりソース・ドレイン電極10a,10bを形成して薄膜トランジスタが完成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にAlもしくはAlを主成分とする金属からなる電極を部分的に形成した後、前記電極を陽極酸化する際、前記電極表面をわずかにエッチングした後、陽極酸化することを特徴とする陽極酸化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-140928
  
• 絶縁膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-074102   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平2-140928
  

審査官引用 (3件)

• 特開平2-140928
  
• 特開平2-140928
  
• 絶縁膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-074102   出願人：三洋電機株式会社