特許

J-GLOBAL ID：200903087149483431

厚膜回路基板の製造方法

発明者： 斎木 敬史
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282286
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112634
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目 的】 はんだ、上部電極、および絶縁膜の熱膨張の差による熱応力が一点に集中しないようにした厚膜回路基板の製造方法を提供する。【構 成】 厚膜回路基板の製造方法は、絶縁基板1上に厚膜電極5を形成する工程と、上記厚膜電極5の輪郭に沿った周縁部の上面に溝部10を形成する工程と、前記厚膜電極5に形成された溝部10の内側にはんだペーストを塗布する工程とからなる。前記溝部10は、厚膜電極5にレーザ光線を照射することによって形成される。

請求項（抜粋）：

主面上に形成された厚膜電極に回路部品がリフローはんだ付けされる厚膜回路基板の製造方法において、絶縁基板上に厚膜電極を形成する工程と、上記厚膜電極の上面の周縁部に溝部を形成する工程とからなり、前記溝部より内側の厚膜電極の部分にはんだ被膜が形成されることを特徴とする厚膜回路基板の製造方法。

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特公昭55-036432
  
• 特開平2-122594
  

審査官引用 (4件)

• 特公昭55-036432
  
• 特公昭55-036432
  
• 特開平2-122594
  
• 特開平2-122594