半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-084086
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243523
出願日： 1991年04月16日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】単位面積当りの容量値がSiO2膜より大きなSi3N4膜を容量部として用い、しかもCMOSプロセスフローとマッチングの良い大面積容量の半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】一導電型シリコン基板1表面に形成された下部電極としての反対導電型拡散層10と、前記反対導電型拡散層10上に形成され且つ表面が酸化されてなる窒化シリコン膜容量部12と、前記窒化シリコン膜容量部12上に形成され且つ上部電極の一部を構成するゲート多結晶シリコン膜17とを具備することを構成とする。

請求項（抜粋）：

一導電型シリコン基板表面に形成された下部電極としての反対導電型拡散層と、前記反対導電型拡散層上に形成され、且つ表面が酸化されてなる窒化シリコン膜容量部と、前記窒化シリコン膜容量部上に形成され、且つ上部電極の一部を構成するゲート多結晶シリコン膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

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