特許

J-GLOBAL ID：200903087150545556

磁気抵抗効果型薄膜ヘッド

発明者： 池田 智夫 ,  福島 信人 ,  藤井 浩司
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075963
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287816
出願日： 1994年04月14日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製造工程における信頼性を向上させる。【構成】 電極を低抵抗材料であり且つスパッタ率が大きい値をもつAuで構成される上電極層と密着性が高く且つ熱反応温度の高いTaで構成される下電極層の2層構造とし、上電極層とMR素子との間に下電極層を配置する。上記上電極層の膜厚は0.1μm以上0.4μm以下とし、上記下電極層の膜厚は10nm以上50nm以下とする。【効果】 電極形成時におけるMR素子の劣化もしくは断線の危険性を減少させるとともに、製造工程中における加熱による電極材料のMR素子内への拡散を防止する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果型素子と該磁気抵抗効果型素子上の両端に形成された一対の電極とを具備してなる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドであって、前記電極はTaからなる下電極層とAuからなる上電極層とが順次積層してなることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。