特許

J-GLOBAL ID：200903087154044306

ショットキバリアダイオードおよび半導体集積回路装置

発明者： 飯田 哲也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342816
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196683
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 ショットキバリアダイオードの占有面積を増大させることなく、ショットキバリアダイオードの許容電流を増大させる。【構成】 化合物半導体基板1に、第1の凹溝3aと、第2の凹溝3bとを互いに隣接するように所定の間隔をおいて設け、第1の凹溝3aにショットキ電極4を設け、第2の凹溝3bにオーミック電極5を設けてショットキバリアダイオード2を構成した。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板に第1の凹溝と第2の凹溝とを所定の間隔をおいて互いに隣接するように設け、前記第1の凹溝の内面にショットキ電極を設け、前記第2の凹溝の内面にオーミック電極を設けたことを特徴とするショットキバリアダイオード。