導波路集積素子の製造方法,及び導波路集積素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250634
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116135
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】半導体層の層厚の制御を精度良く行い、格子歪みの発生による結晶品質の劣化を招くことがなく、このため波長の制御も正確に行うことができ、かつ容易な方法で作製できる導波路集積素子,及びその製造方法を得る。【構成】 (100)面方位を有する基板1の表面に、[011]方向のストライプ状のリッジ5を形成し、リッジ5の幅は、レンズ領域Lではテーパ状にその幅を変化させる。この基板1上にMOCVD法により半導体層3,42,4を、リッジ5上では(111)B面を側面とする形状に成長し、導波路層42の幅を元のリッジ5の幅より狭く形成する。この後、導波路層42を埋め込むようにp-InPクラッド層4を成長し、上記導波路付LDを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、[011]方向に沿った,かつその幅がテーパ状に変化している部分を有するリッジを形成する工程と、上記リッジの,幅がテーパ状に変化している部分上に、光導波路層を含む層構造を成長し、その層構造中にその幅がテーパ状に変化する導波路レンズ部を形成するようにする工程とを備え、テーパ状光導波路を有する導波路集積素子を作製することを特徴とする導波路集積素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 21/208 , H01L 21/428 , H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-122585
特開平2-119285
特開平3-022582

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