特許

J-GLOBAL ID：200903087162913143

半導体装置

発明者： 大見 忠弘 ,  山下 毅雄 ,  中村 佳夫
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-318732
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176772
出願日： 1993年12月17日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、情報の記憶がICチップ製造後にできるとともに、高速読み出しが可能な超高集積ROM等の半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 どちらか一方もしくは両方が金属からなる第1及び第2の導電性領域と、前記第1及び前記第2の導電性領域の間に設けられた高抵抗半導体領域とからなる半導体素子を少なくとも1つ有す半導体装置であって、前記第1の導電性領域及び前記第2の導電性領域を通して前記高抵抗半導体領域に電流を流すことにより、もしくは外部から熱を加えることにより、またはその両方により、前記第1及び第2の導電性領域の内金属からなる導電性領域と前記高抵抗半導体領域間で反応を生ぜしめ、低抵抗の金属半導体化合物を形成するように構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

どちらか一方もしくは両方が金属からなる第1及び第2の導電性領域と、前記第1及び前記第2の導電性領域の間に設けられた高抵抗半導体領域とからなる半導体素子を少なくとも1つ有す半導体装置であって、前記第1の導電性領域及び前記第2の導電性領域を通して前記高抵抗半導体領域に電流を流すことにより、もしくは外部から熱を加えることにより、またはその両方により、前記第1及び第2の導電性領域の内金属からなる導電性領域と前記高抵抗半導体領域間で反応を生ぜしめ、低抵抗の金属半導体化合物を形成するように構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/88 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 431

FI (2件)：

H01L 29/88 F ,  H01L 21/82 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-315468
  
• 特開平4-098870
  
• 特開昭59-168665
  
• 特開昭62-145745